Описание и характеристики SAMSUNG 9100 Pro 1TB MZ-VAP1T0BW
Общая информация
- Дата выхода на рынок: 2025 г.
Основные
- Объём: 1 ТБ
- Форм-фактор: M.2
- Интерфейс: PCI Express 5.0 x4
- Версия NVMe: 2.0
- Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND
- Контроллер: Samsung Presto S4LY027
- Размеры устройств M.2: 2280
- Ресурс записи: 600 TBW
Технические характеристики
- DRAM-буфер: Да
- Аппаратное шифрование: AES 256bit
- Скорость последовательного чтения: 14 700 Мбайт/с
- Скорость последовательной записи: 13 300 Мбайт/с
- Средняя скорость случайного чтения: 1 850 000 IOps
- Средняя скорость случайной записи: 2 600 000 IOps
- Энергопотребление (чтение/запись): 7.6 Вт (режим записи 7.2 Вт)
- Энергопотребление (ожидание): 4 Вт
- Время наработки на отказ (МТBF): 1 500 000 ч
- Толщина: 2.38 мм
- Охлаждение: Нет
- Подсветка: Нет
- Совместимость с PS5: Да
Комплектация
- Тип поставки: RTL (Retail)
Гарантия: 12
Адрес производителя: Самсунг Электроникс Компани, ЛТД. Мэтан-донг 129, Самсунг-ро, Енгтонг-гу, Сувон, Кенги-до, 443-742, Республика Корея.
Адрес производства: Самсунг Элекстроникс Сучжоу Компутер Ко., Лтд., № 198, Фанчжоу Роуд, Сучжоу Индустриал Парк, Цзянсу Провинсе, Китай. Самсунг Електроницс Ко., Лтд., ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ., г. Москва, Бол. Гнездниковский пер. д 1, стр 2 РФ.
Импортер: ООО ТрайдексБелПлюс, Минская обл., Минский р-н, Новодворский с/с, 33/1-8 к.64, РБ.
Сервисный центр: ООО Дигобел, 220062, г. Минск, пр-т. Победителей, д. 131, пом. 70/4












